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分立半导体产品晶体管UGBT,MOSFETSTGWT80H65DFB
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图像仅供参考,请参阅产品规格书

恩平公式规律:晶体管 ST STGWT80H65DFB

制造商型号:STGWT80H65DFB
制造商:ST
封装/规格:TO-3P-3,SC-65-3 供应商编号:STGWT80H65DFB
商品编号:DS0108147
商品描述:
IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

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产品分类

分立半导体产品

晶体管

集电极电流Ic(最大值)

120A

功率(最大值)

469W

供应商器件封装

TO-3P

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

安装类型

通孔(THT)

工作温度

-55°C~175°C(TJ)

包装

管件?

测试条件

400V,80A,10欧姆,15V

25°C时Td(开/关)值

84ns/280ns

栅极电荷

414nC

输入类型

标准

开关能量

2.1mJ(开),1.5mJ(关)

脉冲电流-集电极(Icm)

240A

不同?Vge,Ic时的?Vce(on)

[email protected],80A

电压-集射极击穿(最大值)

650V

IGBT类型

沟槽型场截止

反向恢复时间(trr)

85ns

湿气敏感性等级(MSL)

1(无限)

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  • 张***STGWT80H65DFB602019-11-16 16:24
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STGWT80H65DFBST设计生产,在本人自创六肖公式规律现货销售,并且可以通过 digikey、mouser、 等渠道进行代购。STGWT80H65DFB价格参考¥25.77260。STSTGWT80H65DFB封装/规格:TO-3P-3,SC-65-3,IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L。你可以下载STGWT80H65DFB中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UGBT,MOSFET详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程



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